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HCE41J256M16MB型4Gb DDR3 SDRAM

LK41J256M16BN是一款4Gb DDR3 SDRAM,最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)1600Mbps。

        LK41J256M16BN是一款4Gb DDR3 SDRAM,最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)1600Mbps。

◆產(chǎn)品主要特性

◆VDD=VDDQ=1.5V(1.425V~1.575V)

◆8 banks

◆8n-bit 預(yù)取架構(gòu)

◆全差分時(shí)鐘輸入(CK,CK)運(yùn)行

◆雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通(DQS, DQS)

◆在芯片DLL將DQ、DQS和DQS轉(zhuǎn)換與CK轉(zhuǎn)換對(duì) 齊

◆DM掩碼在數(shù)據(jù)選通的上升沿和下降沿寫入數(shù)據(jù)

◆所有地址和控制輸入,除了數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)頻閃和數(shù)據(jù)掩碼鎖存在時(shí)鐘的上升沿

◆支持可編程CAS延遲 5至14

◆支持可編程附加延遲0,CL-1和CL-2

◆可編程CAS寫入延遲(CWL) = 5, 6, 7, 8, 9, 10

◆可編程的爆發(fā)長(zhǎng)度4/8,具有半字節(jié)順序和交錯(cuò)模 式

◆BL 即時(shí)切換

◆MRS選擇的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度

◆動(dòng)態(tài)片上終止

◆異步復(fù)位引腳

◆內(nèi)部(自我)校準(zhǔn):通過ZQ引腳進(jìn)行內(nèi)部自我校準(zhǔn)

◆(RZQ: 240歐姆±1%)

◆符合 JEDEC

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