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HCE51200H—拉/灌DDR終端穩(wěn)壓器

HCE51200H器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)終端穩(wěn)壓器,專用于低輸入電壓、低噪聲系統(tǒng)。

        HCE51200H器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)終端穩(wěn)壓器,專用于低輸入電壓、低噪聲系統(tǒng)。

        HCE51200H能夠保持快速瞬態(tài)響應,最低僅需20μF輸出電容。HCE51200H支持遠端采樣功能并且可滿足DDR、DDR2、DDR3、低功耗DDR3和DDR4總線的所有電源要求。

        HCE51200H還提供一個PGOOD信號監(jiān)測輸出功能,提供一個EN信號在S3(掛起至RAM)期間針對DDR進行VTT放電。

        該產品采用高效散熱焊盤10引腳CDFN10封裝。

◆ 金屬、陶瓷全密封封裝

◆ 總規(guī)范:GJB597B-2012

◆ 詳細規(guī)范:Q/RB 21932-2022

◆ 輸入電壓:VIN=2.375V~3.5V;VLDOIN=1.1V~3.5V

◆ 具有壓降補償功能的灌電流和拉電流

◆ 具有監(jiān)視輸出穩(wěn)壓的PGOOD功能

◆ 所需最小輸出電容為20μF

◆ REFIN能直接或通過電阻分壓器進行輸入跟蹤

◆ 遠端感測(VOSNS)

◆ ±10mA 緩沖基準(REFOUT)

◆ 內置軟啟動、欠壓鎖定、和過流保護

◆ 支持DDR~DDR3、低功耗DDR3和DDR4VTT應用

◆ 工作溫度(TC):-55℃~+125℃

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