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HCE41K256M16MB型4Gb DDR3L SDRAM

HCE41K256M16BN是一款4Gb DDR3L SDRAM,DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3 SDRAM(1.5V)的低壓版本,最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達1866Mbps。

        HCE41K256M16BN是一款4Gb DDR3L SDRAM,DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3 SDRAM(1.5V)的低壓版本,最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達1866Mbps。

◆容量:4Gb,8n-bit預取結構

◆存儲結構:256 Meg×16 bit或512 Meg×8 bit

◆向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V

◆8n-bit 預取結構

◆差分時鐘輸入(CK和CK#),最高時鐘頻率933MH

◆支持刷新、自刷新和自動刷新模式

◆支持標稱ODT和動態(tài)ODT(ODT, on-die termination)

◆可編程CAS讀延遲(CL, CAS Latency)

◆可編程CAS附加延遲(AL, Additive Latency)

◆可編程CAS寫延遲(CWL, CAS Write Latency)

◆固定突發(fā)長度(BL, Burst Length):8

◆固定突發(fā)終止(BC, Burst Chop):4

◆傳輸中(OTF, on-the-fly)可選的BC4或BL8

◆HCE41K256M16BN詳細規(guī)范:Q/RB 50563-2023

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