HCE68M605是一款集成了N-MOSFET的過壓過流保護(hù)開關(guān)，具有可設(shè)置輸入過壓保護(hù)、輸出過壓鉗位和輸出過流保護(hù)的過壓過流開關(guān)。還可以通過外部器件調(diào)節(jié)輸出電壓的軟啟動時間，控制輸出電壓上升的斜率。獨(dú)立的使能控制允許復(fù)雜 的系統(tǒng)上電順序控制。該器件還集成了過溫保護(hù)功能。
該芯片工作電壓寬，輸入電壓范圍為4V～48V。為了降低芯片損耗，集成了阻抗極低的N-MOSFET，導(dǎo)通阻抗僅為40mΩ。芯片尺寸僅為3mm×3mm，外圍器件簡單，可以靈活應(yīng)用于各種需要保護(hù)的場合，提升系統(tǒng)的可靠性。
◆ 內(nèi)部裸芯片采用倒裝焊工藝組裝，塑封封裝
◆ 工作溫度（Tc）：-55℃～125℃
◆ 輸入范圍4V～48V，最大浪涌電壓可達(dá)到60V
◆ 超低內(nèi)置 MOS的導(dǎo)通電阻：40mΩ
◆ 軟啟動時間可調(diào)
◆ 限流點(diǎn)可調(diào)，最大限流點(diǎn)為5A
◆ 可自恢復(fù)的熱保護(hù)功能
◆ 可調(diào)的輸入過壓保護(hù)，自動恢復(fù)
◆ 可調(diào)的輸出鉗位電壓，自動恢復(fù)
◆ 提供獨(dú)立的使能端口
◆ QFN3×3-16