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HCE51100DGQ—3A拉/灌電流DDR終端穩(wěn)壓器

HCE51100DGQ是一款灌電流和拉電流為3A的終端穩(wěn)壓器。

        HCE51100DGQ是一款灌電流和拉電流為3A的終端穩(wěn)壓器。

        HCE51100DGQ能夠保持快速瞬態(tài)響應(yīng),最低僅需20μF輸出電容。HCE51100DGQ支持遠(yuǎn)端采樣功能并且能為DDR和DDR2的VTT總線端提供供電電源,當(dāng)VDDQ為1.5V時能夠滿足DDR3 VTT的電源要求。

        此外,HCE51100DGQ包含完整的休眠控制,在S3模式(待機(jī)模式)時將VTT設(shè)置為高阻態(tài),在S5模式(休眠模式)時VTT和VTTREF處于軟關(guān)斷狀態(tài)。

        HCE51100DGQ采用銅鍍錫框架與環(huán)氧塑封材料組裝而成的10引腳MSOP10封裝結(jié)構(gòu) ,工作溫度在-55℃~+125℃。

◆ 采用SMT工藝塑封封裝

◆ 輸入電壓范圍:4.75V~5.25V

◆ VLDOIN輸入電壓范圍:1.2V~3.6V

◆ 具有壓降補(bǔ)償功能的拉電流和灌電流

◆ 支持S3信號和S5信號輸入時的軟關(guān)斷模式

◆ 所需最小輸出電容為20μF

◆ 遠(yuǎn)端采樣(VTTSNS)

◆ 10mA緩沖基準(zhǔn)(VTTREF)

◆ 內(nèi)置軟啟動、欠壓鎖定和過流保護(hù)

◆ 帶有散熱焊盤的10引腳MSOP PowerPAD封裝

◆ 支持DDR、DDR2、DDR3應(yīng)用

◆ 工作溫度(TC):-55℃~+125℃

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